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本文采用ＭＯＣＶＤ技术，以Ｙ（ＴＭＨＤ）３，Ｂａ（ＴＭＨＤ）２，Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，高纯Ａｒ和Ｏ２分别为载流气体和反应剂，金属Ａｇ带有基体，在沉积温度为８５０℃，沉积过程中系统总压低于１．３３ｋＰａ的条件下，研究了４种民政部的ＹＢＣＯ生长特点；４种沉积方式所制样品成分的均匀性、沿ｃ－轴取向情况以及表面形貌均存在较大的差别。