【摘 要】
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设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和1/4阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用Ga As赝调
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设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和1/4阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用Ga As赝调制掺杂异质结场效应晶体管(p HEMT)器件,在PCB板上实现了低噪声放大器的加工,加工测试结果与原理图仿真结果基本符合.测试结果表明,该低噪声放大器的增益达到12±1.5 d B,最小噪声系数为1.8 d B,输入输出匹配结果良好.
A two-stage cascade UWB LNA based on a common-source structure is designed. The low-noise amplifier uses a source-end inductor and a 1/4 impedance converter with good input without deteriorating the circuit noise figure Matched with GaAs pseudomodulation doped heterojunction field effect transistor (p HEMT) devices, the realization of the low noise amplifier on the PCB board processing, the test results and the schematic simulation results are basically in line with the test results show that the The gain of the low-noise amplifier reaches 12 ± 1.5 dB, the minimum noise figure is 1.8 dB, and the input-output matching result is good.
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