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用XL30FEG扫描电镜对热丝化学气相沉积(HFCVD)法合成的金刚石颗粒的初期生长过程进行了研究.结果表明,金刚石在p-Si(100)基片上的初始形核密度很高,可达1010/cn2;在随后的颗粒长大过程中,颗粒快速长大,颗粒密度急剧减少;颗粒的长大速率随其尺寸的增大而减小,最后趋于一稳定值.
HFCVD法合成金刚石的初期生长过程
【摘 要】
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用XL30FEG扫描电镜对热丝化学气相沉积(HFCVD)法合成的金刚石颗粒的初期生长过程进行了研究.结果表明,金刚石在p-Si(100)基片上的初始形核密度很高,可达1010/cn2;在随后的颗
【机 构】
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华南理工大学机电工程系
【出 处】
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兵器材料科学与工程
【发表日期】
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2001年5期
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