Deposition of GaN thin film on ZnO/Si by DIBD method

• 作 者: LI Geng-wei YANG Shao-yan LIU
• 机 构: SchoolofMaterialsScienceandTechnology,LaboratoryofsemiconductorMaterialsScience
• 出 处: 光电子快报：英文版
• 发表日期: 2006年4期
• 关键词: GAN 薄膜 沉积作用 X射线 光电子 CLC numberO484.1
• 基金项目: Supported by the National ＂863＂ Program （No. 863-715-001- 0162） and by the Science and Technology Foundation of China University of Geosciences （Beijing）（No. 200524）.

轧了薄电影被双离子横梁成功地在 ZnO/Si 的样品上种免职(DIBD ) 系统。薄电影 GaN/ZnO/Si 被描绘由在原处 X 光检查光电子光谱学(XPS ) 。它被看那在以后一薄轧了在 Zn/Si 上种的电影， Zn 和 O 的山峰没被观察。这显示轧了电影能被系统与搏动的激光免职(PLD ) 联系了的双离子横梁免职(DIBD ) 成功地在 ZnO/Si 上种方法。CLC 数字 O484.1 文件代码 A 由国家鈥 ? 支持了 63 鈥 ? 节目(号码 863-715-001-0162 ) 并且由地球