镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究

• 作 者: 徐骏 陈坤基 黄信凡 贺振宏 韩和相 汪兆平 李国华
• 机 构: 南京大学固体微结构物理国家重点实验室!南京大学物理系,江苏南京210093,南京大学固体微结构物理国家重点实验室!南京大学物理系,江苏南京210093,南京大学固体微结构物理国家重点实验室!南京大学物
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 1999年03期
• 关键词: 光致发光 尺寸分布 氢化非晶硅 多层膜 热氧化 半高宽 氧化处理 光电性质 发光现象 发光峰

报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒； 在Ａｒ＋ 激光（４８８ｎｍ ）的激发下， 观察到了室温下的光致发光现象． 发光峰中心位于２．２ｅＶ． 由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强， 且半高宽也显著变窄， 表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布．

A new method of preparing nano-germanium materials embedded in silicon dioxide by thermal hydrogenation of amorphous silicon germanium films and hydrogenated amorphous silicon / hydrogenated amorphous germanium multilayer films was reported. The results show that after the oxidation treatment, Si and O in the film combine to form silicon oxide and single-crystal Ge is precipitated to form inlaid nano-Ge particles. Under Ar + laser (488 nm) excitation, Photoluminescence. The luminescence peak center is at 2.2 eV. The samples prepared from the multilayer films showed a relatively enhanced emission intensity and a significantly narrower FWHM, indicating that the size distribution can be better controlled with the multilayer film.