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采用0．5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路，包括金属一半导体一金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm^2，电容小于0．15pF，4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器一3dB带宽接近10GHz，跨阻增益约43dBn。光接收机前端在输入2．5Gb／s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。