【摘 要】
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采用直流电沉积方法制备纳米孪晶Ni材料,并对其显微组织进行了分析。结果表明,7.35°本征间隙的存在,使得直流电沉积制备的五次纳米孪晶衍射花样以外的区域中,部分衍射斑发生
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采用直流电沉积方法制备纳米孪晶Ni材料,并对其显微组织进行了分析。结果表明,7.35°本征间隙的存在,使得直流电沉积制备的五次纳米孪晶衍射花样以外的区域中,部分衍射斑发生了辟裂。由于相邻晶界宽化程度不同,相连接的区域极易产生缺陷,孪晶极易在此交接处形核,形成新的其它取向的孪晶。
The nano-twin Ni material was prepared by DC deposition method and its microstructure was analyzed. The results show that the existence of the 7.35 ° intrinsic gap makes partial diffraction spots appear in areas other than the fifth-order nanocrystal diffraction pattern prepared by DC deposition. Due to the widening degree of adjacent grain boundaries, the connected regions are extremely prone to defects. The twin can easily nucleate at this junction and form new twins of other orientations.
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