【摘 要】
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DF型透反仪的原理误差来源于硅光电池有效内阻(主要是漏电导)的变化,实验表明,该漏电导与光强成正比。为了保证仪器的误差小于5×10~(-4),首要的条件是硅光电池在无光照下的
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DF型透反仪的原理误差来源于硅光电池有效内阻(主要是漏电导)的变化,实验表明,该漏电导与光强成正比。为了保证仪器的误差小于5×10~(-4),首要的条件是硅光电池在无光照下的有效内阻要大于10~6Ω;其次,两个硅光电池在有光照下的内阻要尽可能保持一样。
The principle error of the DF transflectometer is derived from the change of the effective internal resistance (mainly the leakage conductance) of the silicon photovoltaic cell. Experiments show that the leakage conductance is proportional to the light intensity. In order to ensure that the error of the instrument is less than 5 × 10 ~ (-4), the primary condition is that the effective internal resistance of the silicon solar cell in the absence of light should be greater than 10 ~ 6Ω. Secondly, the internal resistance of the two silicon solar cells should be exhausted It may be the same.
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