利用全固态分子束外延方法在Ge（100）衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征

• 作 者: 何巍 陆书龙 杨辉
• 机 构: 中国人民武装警察部队学院基础部,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部
• 出 处: 红外与毫米波学报
• 发表日期: 2016年2期
• 关键词: 分子束外延(MBE) GAAS/GE 异质外延 molecular beam epitaxy（MBE） GaAs/Ge heteroepitaxial grow

利用全固态分子束外延（MBE）方法在Ge（100）衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射（RHEED）、高分辨X射线衍射（XRD）,原子力显微镜等手段研究了不同生长参数对外延层的影响.RHEED显示在较高的生长温度或较低的生长速率下,低温GaAs成核层呈现层状生长模式.同时降低生长温度和生长速率会使GaAs薄膜的XRD摇摆曲线半高宽（FWHM）减小,并降低外延层表面的粗糙度,这主要是由于衬底和外延薄膜之间的晶格失配度减小的结果.