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目前共振隧穿二极管（RTD）多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD器件的电学特性进行仿真实验研究。根据仿真实验的结果分析总结了势阱和势垒宽度对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD负阻特性影响的规律,并根据MVL电路设计应用的低压、低功耗、适当峰谷电流比和工艺可实现性等要求,通过大量的仿真优化实验提出采用Ga