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EE Times日前报道：IBM、Rohm＆Haas电子材料部日前签署了一项共同开发协议，针对目前光刻技术的主要问题，为32nm及以下节点设计开发新型抗反射材料。双方计划开发全新248nm和193nm波长材料，包括底部抗反射涂层（BARC）和顶端抗发射涂层（TARC）。
荷兰设备商Mapper获欧盟350万欧元资助 开发无掩膜光刻技术
【摘 要】
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EE Times日前报道：IBM、Rohm＆Haas电子材料部日前签署了一项共同开发协议，针对目前光刻技术的主要问题，为32nm及以下节点设计开发新型抗反射材料。双方计划开发全新248nm和193nm
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2008年3期
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