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60年代中期以前，传统的机械抛光得到的表面损伤极其严重。针对这种状况，walsh和HePzog提出以SiO2抛光浆料为代表的CMP工艺。随着工程技术的发展，CMP技术已经发展成以化学机械抛光机为主体，集在线监测、终点检测、清洗、甩干等技术为一体的化学机械平坦化技术，其技术关键在于抛光液和抛光垫的选择。