【摘 要】
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报道了一种用来制作自对准SiGe基区异质结双极晶体管降低热处理周期的磷发射极工艺。短的热处理周期导致极窄的基区宽度,并维持轻掺杂的隔离层不消失,这种隔离层是为了提高击
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报道了一种用来制作自对准SiGe基区异质结双极晶体管降低热处理周期的磷发射极工艺。短的热处理周期导致极窄的基区宽度,并维持轻掺杂的隔离层不消失,这种隔离层是为了提高击穿特性而制作在发射极-基极和基极-集电极内的。已获得了35nm基区宽度的晶体管,其发射极-基极反向漏电小,峰值截止频率为73GHz,本征基区薄层电阻为16kΩ/□。用这些器件获得的最小NTL和ECL门延时分别为28和34ps。
A phosphor emitter process for the fabrication of self-aligned SiGe HBTs with reduced heat treatment cycles is reported. A short heat treatment cycle results in a very narrow base width and does not eliminate the lightly doped isolation layer that is made in the emitter-base and base-collector in order to improve the breakdown characteristics. A 35nm base-wide transistor has been obtained with a small emitter-base reverse leakage, a peak cut-off frequency of 73GHz and an intrinsic base sheet resistance of 16kΩ / □. The minimum NTL and ECL gate delays achieved with these devices are 28 and 34 ps, respectively.
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