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本文通过ESR,σ_D,σ_Ph,SIMS和E_α等测量,对LPCVD方法生长的a-Si材料的掺杂、缺陷补偿和氢化作了研究,发现在这种材料中,虽然不存在可检测得出的氢含量,却仍然能够进行掺杂,特别是在重掺杂区,缺陷得到有效的补偿,E_F向带边移动。文中基于Street最近提出的关于a-Si掺杂的新观点,用缺陷补偿和化学配位等观点解释了没有氢情况下的掺杂机理。