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RESURF LDMOS很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求。文中采用了Double RESURF（双重降低表面电场）新结构，使漂移区更易耗尽。从理论和模拟上验证了Double RESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不变的情况下减小导通电阻的效果。同时，在LDMOS结构中加入Double RESURF结构也降低了工艺上对精度的要求。为新结构和新工艺的开发研制作前期设计和评估。