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建立了一套完整的直接提取高电子迁移率器件（HEMT）小信号模型等效电路参数的新方法。采用Open去嵌图形对器件寄生电容进行近似提取，避免了ColdFET方法提取的寄生参数为负值的现象；通过YongLong方法对寄生源电阻进行提取，减少了模型参数提取复杂度。与其它文献报道的小信号模型参数提取方法相比，该方法物理意义简明清晰，提取速度快，并且对新材料、新器件结构有较强的实用性。