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采用连续离了层吸附与反应方法存玻璃基板上按照不同[Cu]/[In]的比例制备了CuInS2薄膜,并在400℃退火30min.对薄膜的晶体结构和晶粒尺寸用X射线衍射方法进行厂表征,原予力显微镜测定薄膜的表面形貌.研究不同的[Cu]/[In]比例对薄膜光学和电学性能的影响.采用直流两探针法在300~470℃测定CuInS2薄膜的电阻率,随着[Cl]/[In]比例的增加,电阻率值越来越低,溶液中[Cu]/[In]的比例明显影响CulnS2薄膜的结构、电学和光学特性.