液晶阵列工艺中金属钼的干法刻蚀研究

• 作 者: 苟本鹏 邱海军 姜斌 王章涛
• 机 构: 电子科技大学微电子与固体电子学院,北京京东方光电科技股份有限公司
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2007年1期
• 关键词: 钼薄膜晶体管反应离子刻蚀 Molybdenum TFT（Thin Film Transistor） RIE（ Reactive Ion Etching）

为了简化液晶面板制造工序，本文初步研究了在1．1m×1．3m的玻璃基板上，采用Cl2／O2气体对薄膜晶体管中沟道处的金属钼进行反应离子刻蚀。经过一组正交实验，分析了功率、气压、气体比例等参数对刻蚀速率、均匀度和选择比的影响关系，并给出了刻蚀后的扫描电镜（SEM）图和不同功率参数下薄膜电学特性曲线图。结果表明，本试验中气压是影响幅度最大的因素；另外，较高的功率会使钼对下层选择比严重变差。