【摘 要】
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本文对反应离子束刻蚀及掩模转换技术作了研究,结果表明反应气体O_2或CF_4压力变化对 Au、Cr、Si、SiO_2、Al等各种材料的刻蚀率影响是不同的,金和铬的刻蚀率之比可达16,金和
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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本文对反应离子束刻蚀及掩模转换技术作了研究,结果表明反应气体O_2或CF_4压力变化对 Au、Cr、Si、SiO_2、Al等各种材料的刻蚀率影响是不同的,金和铬的刻蚀率之比可达16,金和铝的刻蚀率之比可达8.8.因此,反应离子束刻蚀和掩模转换技术已用来制造高深宽比的、精细的x射线金掩模图形.
In this paper, reactive ion beam etching and mask conversion techniques are studied. The results show that the influence of O_2 or CF_4 pressure on the etching rates of Au, Cr, Si, SiO_2, Al and other materials is different. Chromium etching rate of up to 16, gold and aluminum etch rate ratio of 8.8. Therefore, reactive ion beam etching and mask conversion technology has been used to create high aspect ratio, fine x-ray gold Mask pattern.
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