【摘 要】
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基于通信对功率放大器的宽带和高效率的需求,给出了一款C波段GaN HEMT内匹配功率放大器的设计过程。该器件由2个3 mm栅宽的GaN功率管芯和制作在Al_2O_3陶瓷基片上的输入输出
【机 构】
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电子科技大学物理电子学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
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基于通信对功率放大器的宽带和高效率的需求,给出了一款C波段GaN HEMT内匹配功率放大器的设计过程。该器件由2个3 mm栅宽的GaN功率管芯和制作在Al_2O_3陶瓷基片上的输入输出匹配电路组成。通过调节键合丝和电容,实现了功率放大器在4.4-5.0 GHz,5.2-5.9 GHz和6.0-6.6 GHz三个典型工程应用频段的设计,功放在这3个典型工程应用频段内输出功率均大于43 dBm（20 W）,附加效率大于60%,功率增益大于10 dB,充分显示了GaN功率器件宽带、高效率的工作性能。
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