【摘 要】
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2014年10月28日,DARPA官方网站报道称,DARPA的“太赫兹电子元器件”项目已经研发成功最快的固体放大器单片集成电路,其使用的10级同源放大器工作频率达1012GHz(太赫兹),比201
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2014年10月28日,DARPA官方网站报道称,DARPA的“太赫兹电子元器件”项目已经研发成功最快的固体放大器单片集成电路,其使用的10级同源放大器工作频率达1012GHz(太赫兹),比2012年创下的850GHz世界纪录高150GHz。DARPA项目经理称,太赫兹电路除了具备卓越的性能外,还开辟了亚毫
On October 28, 2014, DARPA’s official website reported that DARPA’s Terahertz Electronic Components project has developed the fastest-success solid-state monolithic integrated circuit using a 10-stage homogam amplifier operating at 1012 GHz (THz), 150GHz higher than the 850GHz world record set in 2012. DARPA project manager said that the terahertz circuit in addition to superior performance, but also opened up sub-millisecond
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