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文章对耐压700V的单晶扩散型LDMOS进行了研究.借助二维数值模拟器MEDICI,详细分析了LDMOS的准饱和特性产生机理,以及准漏极(quasi drain)的相关特性;采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取得了较好的仿真结果.
700V单晶扩散型LDMOS的特性与模型
【摘 要】
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文章对耐压700V的单晶扩散型LDMOS进行了研究.借助二维数值模拟器MEDICI,详细分析了LDMOS的准饱和特性产生机理,以及准漏极(quasi drain)的相关特性;采用宏模型的建模概念与
【机 构】
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电子科技大学
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2004年2期
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