对枯烯基苯酚改性氰酸酯的研究

• 作 者: 陈勇 唐国坊 杨中强
• 机 构: 广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心
• 出 处: 绝缘材料
• 发表日期: 2014年6期
• 关键词: 对枯烯基苯酚 氰酸酯 介电常数 介质损耗因数 4-cumylphenol cyanate ester dielectric constant dielectri

在90 ℃下使用对枯烯基苯酚对氰酸酯进行改性,并用对枯烯基苯酚改性氰酸酯与氰酸酯、环氧树脂复配制作覆铜箔层压板,并对其性能进行测试分析.结果表明：制得的覆铜板层压板在1 GHz测试条件下介电常数为3.78-3.87,介质损耗因数为0.007 5-0.009 3;其介电性能比采用未改性氰酸酯制作的覆铜箔层压板的更优.