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期刊论文
CMOS/SOD电路的高温工作特性
CMOS/SOD电路的高温工作特性
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aman25826882
【摘 要】
:
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘埋层,利用金刚石膜上的薄层硅(SOD)制作了54HCT03CMOS/SOD结构的集成电路,对该电路高温下的工作特性进行了研究。结果表明,SOD电路在350℃下仍具有
【作 者】
:
顾长志
金曾孙
孟强
邹广田
陆剑侠
苏秀娣
许仲德
姚达
【机 构】
:
吉林大学超硬材料国家重点实验室!长春,东北微电子研究所!沈阳
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1997年9期
【关键词】
:
金刚石膜
CMOS/SOD
IC
高温工作特性
Diamond films
High temperature effects
High temperature
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采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘埋层,利用金刚石膜上的薄层硅(SOD)制作了54HCT03CMOS/SOD结构的集成电路,对该电路高温下的工作特性进行了研究。结果表明,SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能,其工作温度明显高于体硅电路。
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