【摘 要】
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晶体硅表面制绒能够减少光的反射和提高太阳电池效率.传统的抛光单晶硅制绒过程包括成核、生长、成型和过腐蚀过程.使用添加剂的碱溶液对抛光单晶硅片和金刚线切割单晶硅片进
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
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晶体硅表面制绒能够减少光的反射和提高太阳电池效率.传统的抛光单晶硅制绒过程包括成核、生长、成型和过腐蚀过程.使用添加剂的碱溶液对抛光单晶硅片和金刚线切割单晶硅片进行研究发现,经过线切割的单晶硅片表面有约5μm厚的损伤层,损伤层包括多晶碎晶区、裂纹区、过渡区和弹性畸变区4个区域,厚度分别为0.5、1.4、1.4和1.7μm;当制绒时间从4.5 min变化至8.5 min,多晶碎晶区被完全刻蚀,12.5 min时金字塔基本布满硅片表面,21 min时形成2～3 μm的均匀金字塔.与传统制绒过程相比,抛光单晶硅片制绒具有统一的成核、生长、成型过程,而过腐蚀过程被均匀过程替代,并能够获得2～3 μ.m均匀的金字塔形貌和11％的低反射率.
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