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采用PECVD方法制备富硅氮化硅（SiNx）薄膜，并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光（PL）及电致发光（EL）的影响。研究结果表明，N2O等离子体处理前后SiN，薄膜的PL发光峰均位于430nm处，且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处，处理后强度有所提高。但经过高温热处理后，EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子，这些N原子与Si原子结合，消除Si的悬挂键，降低了非辐射复合中心的浓度；而热处理后发生的原子重排，使得N原子与Si原子断开，进而与O原子结