InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

• 作 者: 刘成祥 谢自力 韩平 刘斌 李亮 符凯 周建军 叶建东 文博
• 机 构: 南京大学物理系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年z1期
• 关键词: InxGa1-xN合金薄膜 表面分凝 Ⅴ/Ⅲ比
• 基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311080),国家自然科学基金(批准号:60476030),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2003203)资助项目

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的