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以弹性材料单晶硅为结构材料，研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值（1g～30g）微惯性开关．根据材料力学中的卡氏定理和线弹性理论，推导得到了惯性开关闭合阈值的计算公式，其计数结果与ANsYS有限元分析结果的相对误差小于3％．为提高低g值微惯性开关的环境适应能力，提出双触点和低频弹簧一质量的结构设计方案．为提高结构尺寸的加工精度，提出基于双埋层sOI的低g值微惯性开关加工工艺方案．采用KOH腐蚀、ICP刻蚀和喷涂工艺等关键工艺技术，完成了微惯性开关的制备，划片后芯片尺寸为7mm×7mm×