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介绍了二次离子发射的局部热平衡（LTE）模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用，并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法，取得了较好的结果。
二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用
【摘 要】
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介绍了二次离子发射的局部热平衡（LTE）模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用，并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法，取得了较好的结果。
【机 构】
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中国科学院表面物理国家重点开放实验室,100080,中国科学院半导体研究所,100081
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1994年2期
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