2.5GDFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究

• 作 者: 李秉臣 彭晔 朱洪亮
• 机 构: 中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心,北京100083,中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心,北京100083,中国科学院半导体研究所!国家光电子工艺中心,北京100083
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2000年03期
• 关键词: 能带工程 欧姆接触 串联电阻

对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对AuPtTiInAsp＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP和AuPtTip＋－InGaAs(掺Zn>1×1019cm－3)MQWnInP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行了比较，其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4。

The p-type low-resistance ohmic contact electrode of 2.5GDFB quantum well laser was studied. Under the conditions of rapid thermal annealing at annealing temperature of 400 ℃ and annealing time of 30s, AuPtTiInAsp + -InGaAs (doped with Zn> 1 × 1019cm-3) MQWnInP and AuPtTip + -InGaAs (doped Zn> 1 × 1019cm-3) MQWnInP two structures were p-type ohmic contact test and The series resistance of the two were compared, the results of the former series resistance of the latter 1/4.