低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析

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给出了从200~10K低温下,硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果,建立了理论模型,并对实验结果作出合理解释。 The experimental results of the breakdown voltage of silicon bipolar transistor under 200 ~ 10K low temperature are given. The theoretical model is established and the experimental results are explained reasonably.
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