【摘 要】
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用干涉法测量了低对称晶体 Gd Ca4 O(BO3) 3的全部电光系数。为了分离测量交叉电光系数 γ51 ,γ53,γ4 2和γ6 2 ,采用了新的样品趋向。测量结果为 :γ1 1 =0 .4 pm / V ,γ
【机 构】
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山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所 晶体材料国家重点实验室,济南250100,晶体材料国家重点实验室,济南250100,晶体材料国家重点实验室,济南250100
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用干涉法测量了低对称晶体 Gd Ca4 O(BO3) 3的全部电光系数。为了分离测量交叉电光系数 γ51 ,γ53,γ4 2和γ6 2 ,采用了新的样品趋向。测量结果为 :γ1 1 =0 .4 pm / V ,γ2 1 =0 .5 pm/ V,γ31 =0 .6 pm / V,γ1 3=0 .1pm/ V,γ2 3=0 .4 pm / V,γ33=2 .0 pm/ V,γ51 =0 .7pm / V ,γ53=1.5 pm / V,γ4 2 =0 .5 pm/ V,γ6 2 =0 .8pm / V .
The whole electro-optic coefficient of low-symmetry crystal Gd Ca4 O (BO3) 3 was measured by interferometry. In order to separate and measure the cross-electro-optical coefficients γ51, γ53, γ4 2 and γ6 2, a new sample trend has been adopted. The measurement results were: γ1 1 = 0.4 pm / V, γ2 1 = 0.5 pm / V, γ31 = 0.6 pm / V, γ1 3 = V, γ33 = 2.0 pm / V, γ51 = 0.7 pm / V, γ53 = 1.5 pm / V, γ4 2 = 0.5 pm / V, γ6 2 = 0.8 pm / V.
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