【摘 要】
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外延生长采用水平滑动式液相外延法。衬底为掺Ge的InSb单晶片。母液中掺Te,浓度10~(18)～10~(19)/cm~3。用微量回熔线性冷却工艺,基本解决了母液和基片的浸润问题。并获得符合
【机 构】
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华北光电技术研究所,华北光电技术研究所
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外延生长采用水平滑动式液相外延法。衬底为掺Ge的InSb单晶片。母液中掺Te,浓度10~(18)～10~(19)/cm~3。用微量回熔线性冷却工艺,基本解决了母液和基片的浸润问题。并获得符合要求的外延层厚度。对这一工艺在420℃下的生长动力学进行研究,从实验上得出生长速率和时间的关系为V∝t~(1.67),因此界面过程对生长也有一定的影响。霍尔测量表
Epitaxial growth using horizontal sliding liquid phase epitaxy. The substrate is a Ge-doped InSb single wafer. The mother liquor mixed with Te, concentration 10 ~ (18) ~ 10 ~ (19) / cm ~ 3. With trace back to the melt linear cooling process, the basic solution to the mother liquor and substrate infiltration problems. And to meet the requirements of the epitaxial layer thickness. The growth kinetics of this process at 420 ℃ was studied. The relationship between growth rate and time was found to be Vαt ~ (1.67). Therefore, the interfacial process also had some effects on the growth. Hall measuring table
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