MOCVD法在（220）CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究

• 作 者: 王银珍 徐军 初本莉 何琴玉
• 机 构: 华南师范大学物理与电信工程学院,中国科学院上海硅酸盐研究所
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2008年4期
• 关键词: ZNO薄膜 MOCVD CAF2 ZnO thin films MOCVD CaF2
• 基金项目: 致谢：感谢中国科学技术大学同步辐射实验室提供的测试和帮助.

采用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）法在（220）CaF2衬底上外延生长ZnO薄膜。利用X射线衍射（XRD）、紫外-可见光谱和光致发光谱（PL）对ZnO薄膜的结构和光学性能进行了分析。XRD结果表明，所制备的ZnO薄膜结晶性能良好，具有高度的（002）的择优取向，002衍射峰的半高宽（FMHM）为0．115°。所制备的ZnO薄膜透明，透过率超过85％。在常温的（He—Cd激光器）PL谱中，只有378．5nm的带边发射。用同步辐射光源测试的真空紫外光谱中，在低温20K时，出现218nm、368n