一种新颖的半导体衬底材料——单片化GaAs/Si

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单片化GaAs/Si(MGS)衬底是在Si衬底上生长GaAs薄层而构成的一种复合化衬底,Si和GaAs相辅相成,集二者的长处于一身,而短处得以补救。本文概述了这种衬底材料的开发背景、生长方法、应用现状和存在问题。 The monolithic GaAs / Si (MGS) substrate is a composite substrate formed by growing a thin GaAs layer on a Si substrate. Si and GaAs are complementary to each other. The advantages of the two are the same, and the disadvantages can be remedied. This article outlines the development background, growth method, application status and existing problems of this substrate material.
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