低压反应离子镀制备Ge1-xCx薄膜的硬度研究

• 作 者: 王彤彤 高劲松 王笑夷 宋琦 陈红 郑宣明 申振峰 单兆会
• 机 构: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,海军驻长春地区航空军代表室
• 出 处: 光学仪器
• 发表日期: 2006年4期
• 关键词: Ge1-xCx 硬度 低压反应离子镀(RLVIP) Ge1-xCx hardness reactive low voltage ion plating （RL
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（60478035）.

应用低压反应离子镀的薄膜制备方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜，随着沉积速度在0．1nm／s-0．9nm／s之间变化，Ge1-xCx薄膜的硬度在2．12GPa-11．066GPa之间可变，当沉积速率为0．9nm／s时，Ge1-xCx薄膜最大硬度为11．066GPa。XRD测试结果表明，沉积的Ge1-xCx薄膜均为无定形结构。对薄膜稳定性和牢固度的测试表明，制备的Ge1-xCx薄膜在具有较高的硬度的同时，也有良好的性能。