【摘 要】
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实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/Si O2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了
【机 构】
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东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术
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实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/Si O2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下产生不同的导通电阻衰退.文中同时提出了一种改进方法:用场氧代替厚栅氧作为高压pLEDMOS器件的栅氧,MEDICI模拟结果显示该方法可以明显降低/减缓高压pLEDMOS导通电阻的衰退.
Experimental results reveal that the on-resistance of high-voltage pLEDMOS devices varies under different stress conditions. The MEDICI simulation results of a semiconductor device shows that the trap of Si / Si O2 and the injection and capture of hot electrons lead to high-voltage pLEDMOS devices Different resistance conditions lead to different on-resistance decay. In the meantime, an improved method is proposed: field oxygen instead of thick gate oxide as gate oxide for high-voltage pLEDMOS devices, and MEDICI simulation results show that this method can significantly reduce / slow down the high-voltage pLEDMOS On-resistance decline.
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