论文部分内容阅读
安森美半导体推出NUS6189新器件,将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30VP沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0mm×4.0mm×0.9mm封装之中。NUS6189设计用于保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源故障影响。这器件经过优化,应用于使用外部交流-直流(AC—DC)适配器或车载充电器,如手机、便携式媒体播放器(PMP)和移动互联网设备(MID)。