使用氧化镓基板的GaN类LED元件问世

来源 :中国照明电器 | 被引量 : 0次 | 上传用户:polaris20092009
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日本田村制作所与光波公司宣布,开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件,该元件及氧化镓(Ga2O3)基板预计可在2011年末上市。新开发的LED元件与以前使用蓝宝石基板的LED元件相比,每单位面积可流过10倍以上的电流。将用于前照灯及投影仪等需要高亮度照明的应用领域。另外,氧化镓基板通过 Japan’s Tamura and Light Wave announced that it has developed a GaN-based LED device using gallium oxide (GaO) substrate, which is expected to be available by the end of 2011. Newly developed LED components and the previous use of sapphire substrate compared to LED components, per unit area can flow 10 times more than the current. Will be used for headlamps and projectors that require high brightness lighting applications. In addition, the gallium oxide substrate passes
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