【摘 要】
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Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ大学的Ｍ .Ｐａｒｋ和Ｐ .Ｍ .Ｃｈａｉｋｉｎ等利用在共聚物薄膜中通过自装配作用形成的有序微畴作为侵蚀的掩模的方法 ,在氮化硅基本上印上致密的、纳米尺寸的孔和点的周期性阵列。在每ｃｍ2 上有 10 11个部
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Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ大学的Ｍ .Ｐａｒｋ和Ｐ .Ｍ .Ｃｈａｉｋｉｎ等利用在共聚物薄膜中通过自装配作用形成的有序微畴作为侵蚀的掩模的方法 ,在氮化硅基本上印上致密的、纳米尺寸的孔和点的周期性阵列。在每ｃｍ2 上有 10 11个部件。它的用途可能很多 ,包括制成高密度磁记录器
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