论文部分内容阅读
采用正电子湮没寿命谱方法，对1.6×10^16cm^-2注量的85MeV^19F离子辐照P型InP单晶的微观缺陷进行了研究，在300－1023K的温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验表明：辐射在InP中产生单空位缺陷，在退火过程中单空位相互聚合形成双空位，单空和双空位分别在573K和723K温度完全被退火。