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利用熔融稀土铈（Ce）对CVD金刚石厚膜进行了抛光研究。详细讨论了工艺参数对抛光速率和表面粗糙度Ra的影响，获得了最佳抛光工艺。通过对抛光后金刚石膜表面的拉曼光谱（Raman）、俄歇能谱（AES）、扫描电镜（SEM）以及能谱（EDS）的分析，探讨了抛光机理。结果表明：该方法有很高的抛光速率，可达每小时数百微米。抛光后金刚石膜的Ra从10.845μm降低至0.6553μm。抛光的热处理工艺不但没有破坏金刚石表面的原始结构，而且由于铈对石墨的优先刻蚀，抛光后金刚石膜表面的石墨含量还大大减少。