掺杂硅热压工艺烧结制备Ti2AlC陶瓷材料

• 作 者: 周卫兵 梅炳初 朱教群 洪小林
• 机 构: 武汉理工大学材料复合国家重点实验室
• 出 处: 江苏陶瓷
• 发表日期: 2004年3期
• 关键词: 掺杂硅热压烧结 制备 Ti2AlC陶瓷材料 X-射线衍射 扫描电镜 活性碳 合成相 Hot pressing fabrication Ti2AlC Ti3

以Ti、TiC、Al为原料,采用热压工艺制备出相组成为Ti2AlC块体材料.合成材料的X-射线衍射和扫描电镜(SEM)分析的结果表明:当烧结温度为1400℃时,材料中的主晶相为Ti2AlC,为10μm大小的板状多晶体;而在1 500℃的温度下烧结所得材料的主晶相为Ti3AlC2,其板状多晶体的晶粒尺寸平均约为20μm.掺加硅时,随着温度的提高有利于Ti3AlC2的生成.