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本文采用直流磁控溅射在（100）硅衬底上沉积了单层锗薄膜，分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性，通过对结晶性的研究发现，在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好，功率增至250W的过程，锗薄膜的择优取向发生（220）向（331）的变化。这样在无金属掺杂的情况下得到了结晶性较好的样品。光致发光结果表明，非晶锗在可见光区有较强的发光现象，发光峰位中心分别在648．1nm和713．0nm。发光峰位不随晶粒尺寸变化而变化，但峰强对晶粒大小的依赖性很强，平均晶粒较大的锗薄膜在可见光区发光现象