【摘 要】
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本文假设了一种与外延材料的掺杂分布比较接近的杂质浓度分布函数,导出了超突变结的电容—电压(C—V)特性以及容—压斜率指数与外加电压(γ—V)关系的计算公式,并计算了GaAs
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本文假设了一种与外延材料的掺杂分布比较接近的杂质浓度分布函数,导出了超突变结的电容—电压(C—V)特性以及容—压斜率指数与外加电压(γ—V)关系的计算公式,并计算了GaAs超突变结的雪崩击穿电压V_B.给出了C—V、γ—V和V_B的计算结果.
In this paper, we assume a kind of impurity concentration distribution function which is close to the doping distribution of epitaxial material. The capacitance-voltage (C-V) characteristics and the capacitance-voltage slope index and the applied voltage (γ-V) The calculation formula of C-V, γ-V and V_B is given.
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