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针对目前大多数射频可调谐芯片中前置分频器多为双模结构，设计了一种基于2／3分频单元的可编程多模（64～127）前置分频器。采用0．35μm SiGe BiCMOS工艺，在工作电源电压Vdd=5V，输入频率为2．2GHz的情况下，可实现分频比为64-127之间的可编程多值分频，功耗为37．18mW。