【摘 要】
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提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,
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提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出光功率为10 mW,由吸收调制器(EAM)加-3 V偏压时的消光比为12 dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用于规模化生产。
A new technique of selecting SAG-DSAL structure is proposed. Based on this technique, a monolithic electro-absorption modulation laser (EML) is designed and developed. The threshold current of SAG-DSAL-EML die is 20 mA, an output power of 10 mW at an operating current of 100 mA, and an extinction ratio of 12 dB with an absorption modulator (EAM) plus -3 V bias achieves the intended purpose of simplifying the fabrication process and improving the device performance. It is expected that For large-scale production.
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