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对电子束曝光时间和束流改变引起的ＭＯＳ器件阈值电压有效迁移率的变化以及辐照损伤的消除作了研究，并对辐照损伤及退火的机理进行了探讨。
直接写入电子束光刻中的辐照损伤
【摘 要】
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对电子束曝光时间和束流改变引起的ＭＯＳ器件阈值电压有效迁移率的变化以及辐照损伤的消除作了研究，并对辐照损伤及退火的机理进行了探讨。
【机 构】
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中国科学院半导体所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1995年2期
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