Experimental analysis of operating characteristics of organic semiconductor static induction transis

• 作 者: 薛严冰 王东兴
• 机 构: SchoolofElectricalandInformation,SchoolofAppliedSciences
• 出 处: 上海大学学报：英文版
• 发表日期: 2006年4期
• 关键词: 薄膜晶体管 静电感应晶体管 数值模拟 实验分析 thin film transistor organic static induction transisto
• 基金项目: Project supported by Special Funds of National Railway Ministry （Grant No. J2000Z057）, and Scientific Research Foundation for the Returned 0verseas Chinese Scholars, National Education Ministry （ Gran

与器官的半导体材料铜酞毒(CuPc ) 制作的器官的静态的正式就职晶体管(OSIT ) 在论文被讨论。它有 Au/CuPc/Al/CuPc/Au/glass 的 Schottky 门电极和三明治结构。设备的操作机制与实际参数在物理模型上被学习。在传导隧道的潜在的分发和领域紧张分发被使用有限元素的方法计算。由与一些数学工具处理静态的试验性的数据， V - 我 CuPc/Al Schottky 门的表示被获得， OSIT 与排水管偏爱电压的增加一起有 insaturation 电流性质，这被验证。由使用交流小