基于PdSe2/GaAs异质结的高灵敏近红外光伏型探测器的制备和图像传感的应用

• 作 者: 罗林保 张秀星 李辰 李家祥 赵兴远 张致翔 陈红云 吴翟
• 机 构: 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥工业大学材料科学与工程学院,郑州大学物理学院（微电子学院）
• 出 处: 化学物理学报
• 发表日期: 2020年6期
• 关键词: 范德华异质结 二维层状材料 近红外光电探测器 图像传感 响应度 van der Waals heterojunction Two dimensional mat
• 基金项目: supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61575059,No.61675062,No.21501038),the Fundamental Research Funds for the Central Universities(No.JZ2018HGPB0275,No.JZ2018HGTA0220,and N

本文制备了一种基于PdSe2/GaAs异质结的高灵敏近红外光电探测器,该探测器是通过将多层PdSez薄膜转移到平面GaAs上制成的.所制备的PdSe2/GaAs异质结器件在808 nm光照下表现出明显的光伏特性,这表明近红外光电探测器可以用作自驱动器件.进一步的器件分析表明,这种杂化异质结在零偏电压和808 nm光照下具有1.16×10^5的高开关比.光电探测器的响应度和比探测度分别约为171.34 mA/W和2.36×10^11 Jones.而且,该器件显示出优异的稳定性和可靠的重复